IRF633

文件大小：167KB

元件描述：N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 150V. Continuous drain current(at Tc 25deg) 8.0A.
元件厂商：General Electric Solid State [General Electric Solid State]
立即下载收藏文档下载报错

手册预览

相关资料

下载评论

所有评论

目前还没有网友评论

热门下载