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W4NRD8C-U000

文件大小： 277 KB

  • 元件描述：Diameter: 50.8mm; ultra-low mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
  • 元件厂商：CREE [Cree, Inc]
  • Cree, Inc
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