YTFP250

文件大小： 108 KB

元件描述：V(dsx): 200V; V(dgr): 200V; V(gss): 20V; 150W; silicon N-channel MOS type field effect effect transistor. For high speed, high current switching applications
元件厂商：TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
立即下载收藏文档下载报错

手册预览

相关资料

下载评论

所有评论

发表于20-02-27

用微信号登录，是不是就用微信登录码？

回复

热门下载